Højstrøms filmkondensatordæmper til svejsemaskine (SMJ-TC)

Kort beskrivelse:

Kondensatormodel: SMJ-TC

Funktioner:

1. Kobbermøtrikker elektroder

2. Lille fysisk størrelse og nem installation

3. Mylar-båndoprulningsteknologi

4. Tør harpiksfyldning

5. Lav ækvivalent serieinduktans (ESL) og ækvivalent seriemodstand (ESR)

Anvendelser:

1. GTO-dæmper

2. Spidsspænding og spidsstrømsabsorption og beskyttelse af koblingskomponenter i elektronisk udstyr

Snubber-kredsløb er essentielle for dioder, der bruges i switching-kredsløb. De kan beskytte en diode mod overspændingsspidser, som kan opstå under den omvendte gendannelsesproces.

Send e-mail til os Download som PDF

Produktdetaljer

Produktmærker

Tekniske data

Driftstemperaturområde	Maks. driftstemperatur., Top, maks: + 85℃ Øvre kategori temperatur: +85℃ Nedre kategori temperatur: -40℃
kapacitansområde	0,22～3 μF
Nominel spænding	3000V DC～10000V DC
Kap.tol	±5%(J); ±10%(K)
Modstå spænding	1,35Un DC/10S
Dissipationsfaktor	tgδ≤0,001 f=1 kHz
Isolationsmodstand	C≤0,33 μF RS≥15000 MΩ (ved 20 ℃ 100 V DC 60 S) C > 0,33 μF RS * C ≥ 5000S (ved 20 ℃ 100V DC 60S)
Modstå slagstrøm	se datablad
Forventet levetid	100.000h(Un; Θhotspot≤70°C)
Referencestandard	IEC 61071 ;

Funktion

1. Mylar-tape, forseglet med harpiks;

2. Kobbermøtrikledninger;

3. Modstand mod høj spænding, lav tgδ, lav temperaturstigning;

4. lav ESL og ESR;

5. Høj pulsstrøm.

Anvendelse

1. GTO-dæmper.

2. Udbredt anvendt i kraftelektronisk udstyr, når der er beskyttelse mod spidsspænding og spidsstrømsabsorption.

Typisk kredsløb

Oversigtstegning

Specifikation

Un=3000V.DC
Kapacitans (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,22	35	44	52	25	1100	242	30
0,33	43	44	52	25	1000	330	35
0,47	51	44	52	22	850	399	45
0,68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1,5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
Kapacitans (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,22	43	60	72	25	1500	330	35
0,33	52	60	72	25	1200	396	45
0,47	62	60	72	25	1000	470	50
0,68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
Kapacitans (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,22	45	57	72	25	1100	242	30
0,68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1,5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
Kapacitans (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,33	35	90	102	30	1100	363	25
0,47	41	90	102	28	1000	470	30
0,68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1,5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
Kapacitans (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,33	45	114	123	35	1500	495	30
0,47	54	114	123	35	1300	611	35
0,68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1,5	95	114	123	30	800	1200	70